LiYcY ସ୍କ୍ରିନ୍ ହୋଇଥିବା ମଲ୍ଟିକୋର୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କେବୁଲ୍

LiYcY ସ୍କ୍ରିନ୍ ହୋଇଥିବା ମଲ୍ଟିକୋର୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ କେବୁଲ୍ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଯୁକ୍ତ ଚିତ୍ର

କମ୍ପ୍ୟୁଟର ସିଷ୍ଟମ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଉପକରଣ, ଅଫିସ୍ ମେସିନ୍ କିମ୍ବା ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ୟୁନିଟର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ସିଗନାଲ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କେବୁଲ୍ ପାଇଁ, ଯାହାକୁ ବିଦ୍ୟୁତ୍-ଚୁମ୍ବକୀୟ ହସ୍ତକ୍ଷେପ (EMI) ଏବଂ ବିଦ୍ୟୁତ୍-ଚୁମ୍ବକୀୟ ବିକିରଣ (EMR) ରୁ ସୁରକ୍ଷା ଆବଶ୍ୟକ।

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ନିର୍ମାଣ

୧. କଣ୍ଡକ୍ଟର: ଶ୍ରେଣୀ ୫ ଟିନ୍ ହୋଇଥିବା ତମ୍ବା
୨. ଇନସୁଲେସନ: ପିଭିସି
3. ପରିଚୟ: ରଙ୍ଗୀନ
୪. କେବଲିଂ: ଟ୍ୱିଷ୍ଟେଡ୍ ପେୟାର
୫. ସ୍କ୍ରିନ୍: ଟିନ୍ ହୋଇଥିବା ତମ୍ବା ତାର ବେଣୀ
୬. ଆବରଣ: ପିଭିସି

ସଂସ୍ଥାପନ ତାପମାତ୍ରା: 0ºC ଉପରେ
କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: -15ºC ~ 70ºC

ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ

ଭିଡିଇ ୦୮୧୨
ଡିଆଇଏନ୍ ୧୭୦୪
ଭିଡିଇ ୦୨୦୭
RoHS ନିର୍ଦ୍ଦେଶାବଳୀ
IEC60332-1

୦.୧୪ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୭	୪.୪	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୩x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୭	୪.୭	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୭	୪.୯	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୭	୫.୩	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୭	୫.୬	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୮x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୮	୬.୨	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୦x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୮	7	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୨x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୮	୭.୩	୧୪୮
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୪x୦.୧୪	୧୨/୦.୧୨	୦.୩୫	୦.୮	୭.୫	୧୪୮

୦.୨୫ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୪.୮	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୩x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୫.୧	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୫.୪	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୫.୮	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୬.୪	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୮x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୬.୮	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୦x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୭.୮	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୨x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୮.୧	୭୯.୯
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୪x୦.୨୫	୧୪/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୮.୨	୭୯.୯

୦.୩୪ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୫.୨	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୩x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୫.୫	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୫.୯	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୬.୩	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୭	୬.୮	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୮x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୭.୫	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୦x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୮.୬	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୨x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୯.୧	57
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୪x୦.୩୪	୨୦/୦.୧୫	୦.୪	୦.୮	୯.୫	57

୦.୫୦ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୭	୫.୬	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୩x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୭	6	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୭	୬.୪	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୭	୬.୯	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୮	୭.୬	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୮x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୮	୮.୨	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୦x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୮	୯.୮	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୨x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୮	୧୦.୨	39
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୪x୦.୫	୧୬/୦.୨୦	୦.୪୫	୦.୯	୧୦.୬	39

୦.୭୫ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୮	୬.୪	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୩x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୮	୬.୮	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୮	୭.୩	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୮	୭.୯	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୮	୮.୫	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୮x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୯	୯.୪	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୦x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୯	11	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୨x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	୦.୯	୧୧.୪	26
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୧୪x୦.୭୫	୨୪/୦.୨୦	୦.୫	1	୧୨.୧	26

୧.୦ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୧.୦	୩୨/୦.୨୦	୦.୬	୦.୮	୭.୨	୧୯.୫
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୩x୧.୦	୩୨/୦.୨୦	୦.୬	୦.୮	୭.୭	୧୯.୫
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୧.୦	୩୨/୦.୨୦	୦.୬	୦.୮	୮.୩	୧୯.୫
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୧.୦	୩୨/୦.୨୦	୦.୬	୦.୮	୯.୨	୧୯.୫
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୧.୦	୩୨/୦.୨୦	୦.୬	୦.୯	୧୦.୩	୧୯.୫

୧.୫ ମିମି²

କୋର ସଂଖ୍ୟା	କଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାଣ (ମିମି)	ଇନସୁଲେସନ ଘନତା (ମିମି)	ଆବରଣ ଘନତା (ମିମି)	ମୋଟ ବ୍ୟାସ (ମିମି)	ସର୍ବାଧିକ DCR 20℃ (Ω/କିମି)
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୨x୧.୫	୩୦/୦.୨୫	୦.୬	୦.୮	୭.୮	୧୩.୩
ଲିୱାଇସି 3x1.5	୩୦/୦.୨୫	୦.୬	୦.୮	୮.୪	୧୩.୩
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୪x୧.୫	୩୦/୦.୨୫	୦.୬	୦.୮	୯.୨	୧୩.୩
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୫x୧.୫	୩୦/୦.୨୫	୦.୬	୦.୯	୧୦.୨	୧୩.୩
ଲିୱାଇସିୱାଇ ୭x୧.୫	୩୦/୦.୨୫	୦.୬	1	11	୧୩.୩